什么是SOI高溫壓力傳感器——圖爾克

壓力傳感器是一種用來檢測壓力信號，將壓力信號按一定規律轉化為電信號的器材，廣泛應用于各類生產、工業及航空航天領域。隨著應用領域的細分，高溫油井、各類發動機腔體等高溫惡劣環境下的壓力丈量愈發重要，而一般壓力傳感器所用資料在超過一定溫度時會失效，導致壓力丈量失敗。因此，高溫壓力傳感器成為一個十分重要的研討方向。

什么是SOI高溫壓力傳感器——圖爾克

　　高溫壓力傳感器的分類：

　　依據所用資料的不同，高溫壓力傳感器能夠分為多晶硅（Poly-Si）高溫壓力傳感器、SiC高溫壓力傳感器、SOI（silicon on insulator）高溫壓力傳感器、SOS（silicon on sapphire）硅-藍寶石壓力傳感器、光纖高溫壓力傳感器等不同類型。而從現在發展狀況來看，SOI高溫壓力傳感器的研討現狀及前景都十分抱負。下面首要介紹SOI高溫壓力傳感器。

　　SOI高溫壓力傳感器的發展首要依托SOI資料的鼓起。SOI即絕緣體上硅，首要指以SiO2為絕緣層預埋在Si襯底層和Si頂層器材層中心構成的半導體資料。SOI的特別結構使得器材層與襯底層之間完成了絕緣，消除了體硅中常見的門閂效應，提高了器材的可靠性。另外，由于SOI器材層的高溫特性使得其成為制備高溫壓力傳感器的抱負資料。

　　從原理上講，SOI高溫壓力傳感器首要使用的是單晶硅的壓阻效應。當力作用于硅晶體上，晶體的晶格發生形變，進而導致載流子的遷移率發生變化，使得硅晶體的電阻率發生變化。經過在SOI頂層器材層的特定方向刻蝕出4個壓敏電阻，構成惠斯通電橋；在SOI的襯底層刻蝕出壓力背腔，進而構成壓力靈敏結構。

　　SOI高溫壓力傳感器制備工藝

　　SOI高溫壓力傳感器的制備工藝涉及多道MEMS工藝，首要包含壓敏電阻制備、金屬引線制備、壓力靈敏膜制備以及壓力腔封裝等工藝。

　　壓敏電阻的制備關鍵在于摻雜濃度的把控及后續刻蝕成型工藝的優化；金屬引線層則首要起到惠斯通電橋的聯通；壓力靈敏膜的制備首要依托深硅刻蝕工藝；壓力腔的封裝通常會因壓力傳感器的用處不同而有所變化，本文給出的兩種可能的封裝形式。

　　由于現在商業化的高溫壓力傳感器還無法很好的滿足高溫油井、航空發動機等特別惡劣環境對壓力丈量的需求，未來高溫壓力傳感器的研討已成必定。

　　SOI資料因其特別結構及高溫特性，已經成為高溫壓力傳感器的抱負資料，未來對于SOI高溫壓力傳感器的研討應該集中在處理高溫惡劣環境下傳感器的長期穩定性、自發熱問題及提高壓力傳感器精度等方面。

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