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FujiElectric/富士電機 Electric IGBT 分立半導體

發布時間:2022-10-8 10:15:43|來源: 富士電機/Fujielectric

產品介紹說明
絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導體設備,以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關的雙極性功率晶體管組合在單個設備中,將 MOSFET 的簡單柵極驅動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。
FujiElectric/富士電機 Electric IGBT 分立半導體
最大連續集電極電流        50 A

最大集電極-發射極電壓        600 V

最大柵極發射極電壓        ±20V

最大功率耗散        360 W

封裝類型        TO-247

安裝類型        通孔

通道類型        N

引腳數目        3

晶體管配置        單

尺寸        15.9 x 5.03 x 20.95mm

公司一直以客戶為中心、為客戶創造價值的理念、以品質、服務來贏得市場,衷心希望能與社會各界合作,共創成功,共創輝煌,攜手共創美好明天!

公司本著信譽、服務至上的理念,熱誠歡迎新老顧客來電咨詢、實地考察、洽談業務!

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