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傳感器光電效應介紹

發布時間:2023-8-11 11:08:01|來源: TURCK/圖爾克

光電效應分為外光電效應和內光電效應兩大類,而內光電效應又可分為光電導效應和光生伏特效應。是指在光的照耀下,物體內的電子逸出物體外表而發生光電子發射的現象。依據外光電效應制成的器材有光電管,光電倍增管等。

  而(半導體的)內光電效應是指:光照耀在光敏資料上,資猜中處于價帶的電子吸收光子的能量后,通過禁帶躍遷至導帶,使導帶內電子濃度和價帶內空穴增多,即激發出電子空穴對,從而使半導體資料的電阻率發生變化或發生光生電動勢的現象。

                              傳感器光電效應介紹

  1.光電導效應。當入射光子射入到半導體外表時,半導體吸收入射的光子發生電子空穴對,使其自身電導率發生變化的現象(光敏電阻、光電二極管、光電三極管)。

  2.光生伏特效應。光照耀引起PN結兩端發生電動勢(光電池)。

  紅限頻率:發生光電效應所需照耀光的最低頻率叫做紅限頻率(又稱截止頻率)。

  逸出功:電子克服原子核的束縛,從資料外表逸出所需的最小能量,稱為逸出功。

  愛因斯坦光電效應方程:光子能量=移出一個電子所需的能量(逸出功)+被發射的電子的動能。其數學表達式為:Ek=hν-Wo(其間,Ek 表明逸出的光電子所具有的動能,普朗克常量h=6.626×10ˉ34 J·s,ν 表明入射光的頻率,Wo表明逸出功 )。

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