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三菱電機 MPD系列IGBT模塊

發布時間:2021-12-27 09:42:45|來源: Mitsubishi Electric/三菱電機

三菱電機新開發的全新MPD系列IGBT模塊將在2012年PCIM亞洲展(BoothNo)上亮相。:301)6月19日至21日在上海世博會展館舉辦。全新MPD系列非常適合水冷設計,是一款散熱性能好、可靠性強的大電流電源模塊。

                                  三菱電機 MPD系列IGBT模塊

  全新MPD系列IGBT模組外觀緊湊,采用新型無焊AI基板,提供更高的溫度循環能力。大電流專用內部結構采用特殊封裝,內部封裝電感低。采用低損耗CSTBTTM硅片技術的第六代IGBT模塊具有更寬的安全工作區域、出色的短路魯棒性和最佳的VCE(sat)vs Eoff折衷性能。新型MPD適用于大型電機驅動、分布式發電(如風力發電)和大功率UPS。

  此外,全新MPD系列IGBT模塊分為1200V和1700V額定電壓,其中CM2500DY-24S的額定電流高達2500 A,硅片最高結溫可達175°C,硅片最高工作溫度可達150°C,為了提高散熱效率,全新MPD專門針對水冷散熱系統設計,從而提升產品性能。其多孔端子使接觸阻抗更低,實現更可靠的長期電氣連接,將交流和DC主端子分開,便于DC母線連接。

  三菱電機(上海)有限公司副總經理兼半導體事業部總監谷口·豐聰先生表示:“因為市場非常重視IGBT模組的散熱功能,所以三菱電機推出的全新MPD系列IGBT非常適合水冷散熱,能夠更好地滿足市場需求?!?br />
  目前半導體功率器件全部采用硅材料,業內人士認為硅材料的節能能力已經接近極限。目前,人們關注碳化硅材料的發展。由于其優異的物理和電學特性,碳化硅在功率轉換能力和低消耗方面有望大大超過硅材料。

  2010年,三菱電機是世界上第一家成功研發出帶驅動電路和保護電路的全碳化硅IPM的企業。與使用硅材料的IPM相比,功耗降低了70%,器件體積減小了50%。此外,全球首次將裝有碳化硅二極管的功率器件用于家用空調并實現商業化。

  本次展會中,三菱電機同時展出了多個系列產品,包括J系列EV-IPM和EV T-PM汽車用模塊;以及用于工業變頻家電等的DIPIPMTM(雙列直插式智能電源模塊)。旨在為中國市場提供功耗更低、成本更低、穩定性更高的產品和技術。
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